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LED发光原理及特征
- 宣布时间： 2021-12-27
- 所属分类： 行业知识
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（一）LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，，，，，，，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，，，，，，，其焦点是PN结。 。。。因此它具有一样平常P-N结的I-N特征，，，，，，，即正向导通，，，，，，，反向阻止、击穿特征。 。。。别的，，，，，，，在一定条件下，，，，，，，它还具有发光特征。 。。。在正向电压下，，，，，，，电子由N区注入P区，，，，，，，空穴由P区注入N区。 。。。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与大都载流子（多子）复合而发光，，，，，，，
假设发光是在P区中爆发的，，，，，，，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，，，，，，，或者先被发光中心捕获后，，，，，，，再与空穴复合发光。 。。。除了这种发恢复合外，，，，，，，尚有些电子被非发光中心（这其中心介于导带、介带中心周围）捕获，，，，，，，此后再与空穴复合，，，，，，，每次释放的能量不大，，，，，，，不可形成可见光。 。。。发光的复合量相关于非发恢复合量的比例越大，，，，，，，光量子效率越高。 。。。由于复合是在少子扩散区内发光的，，，，，，，以是光仅在靠近PN结面数μm以内爆发。 。。。 理论和实践证实，，，，，，，光的峰值波长λ与发光区域的半导体质料禁带宽度Ｅg有关，，，，，，，即λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。 。。。若能爆发可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），，，，，，，半导体质料的Eg应在3.26～1.63eV之间。 。。。比红光波长长的光为红外光。 。。。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，，，，，，，但其中蓝光二极管本钱、价钱很高，，，，，，，使用不普遍。 。。。
（二）LED的特征
1．极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两规则向直流电压与流过它的电流之积的最大值。 。。。凌驾此值，，，，，，，LED发热、损坏。 。。。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。 。。。凌驾此值可损坏二极管。 。。。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。 。。。凌驾此值，，，，，，，发光二极管可能被击穿损坏。 。。。
（4）事情情形topm:发光二极管可正常事情的情形温度规模。 。。。低于或高于此温度规模，，，，，，，发光二极管将不可正常事情，，，，，，，效率大大降低。 。。。
